申请号：CN202411442222.9 

当前权利人：浙江大学 

摘要: 本发明公开了一种基于电致发光光谱的半导体温度测量方法 与装置；所述方法为：达到热平衡后，施加不大于最大工作电流密度 值5%的初始电流密度获得电致发光光谱；对满足要求的电致发光光谱 数据进行非线性函数的最小二乘法拟合，计算温度修正系数；在任意 工作状态下，再次采集电致发光光谱，对满足要求的电致发光光谱数 据进行非线性函数的最小二乘法拟合，并结合，获得待测的半导体电 致发光器件中半导体在目标电流密度下的温度。所述装置包括积分球、光纤和光谱仪。本发明采用非接触式测量方法，不受器件封装影响， 提高了测量的准确性和可靠性。 

主权利要求: 1.一种基于电致发光光谱的半导体温度测量方法，其特 征在于，所述方法应用于基于电致发光光谱的半导体温度测量装置， 包括以下步骤： （1）在已知环境温度下，当待测的半导体电致发光 器件与已知环境温度达到热平衡后，对待测的半导体电致发光器件施 加不大于最大工作电流密度值5%的初始电流密度，使用光谱仪采集电 致发光光谱强度集合，并保留不小于最大电致发光光谱强度的电致发 光光谱强度，得到电致发光光谱强度集合； （2）根据电致发光光谱 强度集合，通过最小二乘法对第一非线性函数进行多参数拟合，获取 待测的半导体电致发光器件中半导体的温度修正系数，所述第一非线 性函数为： （1）； 其中，为玻尔兹曼常数；、和分别表示初始电 流密度下的比例系数、半导体的光学带隙宽度和导体的乌尔巴赫能量； 表示中任意一个电致发光光谱强度，表示对应的光子能量； （3）随 后对待测的半导体电致发光器件施加目标电流密度，使用光谱仪采集 电致发光光谱强度集合，并保留不小于最大电致发光光谱强度的电致 发光光谱强度，得到电致发光光谱强度集合； （4）根据电致发光光 谱强度集合，通过最小二乘法对第二非线性函数进行多参数拟合，获 得待测的半导体电致发光器件中半导体在目标电流密度下的温度；所 述第二非线性函数为： （2）； 其中，、和分别表示目标电流密度 下的比例系数、半导体的光学带隙宽度和半导体的乌尔巴赫能量；表 示中任意一个电致发光光谱强度，表示对应的光子能量。